大家好，来看(kàn)一(yī)则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市(shì100厘米等于多少分米，100厘米等于多少分米多少米)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露(lù)过(guò)美光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的(de100厘米等于多少分米，100厘米等于多少分米多少米)供应优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(f100厘米等于多少分米，100厘米等于多少分米多少米èn)额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增长。

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